Volframkarbiidi koosseis

Kasutades toorainena metallist volframi ja süsinikku, on volframpulber keskmise osakeste suurusega 3–5 μm ja sama kogus süsinik Must segatakse kuulikadlikuga, täielikult segatud, pressiga vormitud ja paigutatud grafiidplaadile ja asetatakse grafiidplaadile ja asetatakse seejärel asetatud grafiidi takistusahju või seda saab kuumutada temperatuurini 1400 ～ 1700 ℃ induktsiooniahjus, eelistatavalt 1550 ～ 1650 ℃. Vesinikuvoolus toodetakse W2C algselt ja reageerib WC tootmiseks jätkuvalt kõrgel temperatuuril. Või esiteks, volframi heksakarbonüül laguneb termiliselt CO atmosfääris temperatuuril 650-1000 ° C, et saada volframpulber ja reageerida seejärel süsinikmonooksiidiga temperatuuril 1150 ° C, et saada WC. Selle temperatuurist kõrgemad temperatuurid võivad tekitada W2C.

Erinevate rakendusvahemikega sulamites kasutatavat WC süsinikku, erinevat koobaltsisaldust ja erinevat tera suurust saab pisut reguleerida. Madala kobaltsisulamid võivad valida suurema süsinikuga volframkarbiidi ja kõrge kobaltsisulamid võivad valida volframkarbiidi, millel on madalam süsinik. Lühidalt öeldes on tsementeeritud karbiidi erinõuetel erinevad nõuded volframi karbiidi osakeste suuruse kohta.

Seda kasutatakse laialdaselt kiirete lõiketööriistadena, põletusahju konstruktsioonimaterjalid, reaktiivmootori osad, tsiklimaterjalid, takistuskütteelemendid jne.

Kasutatakse lõiketööriistade, kulumiskindlate osade, metallide sulatusküsimustega nagu vask, koobalt ja vismut ning kulumisresistentsed pooljuhtfilmid.

Kasutatakse ülitugeva tööriistamaterjali ja kulumiskindla materjana. See võib moodustada paljude karbiididega tahke lahuse. WC-TIC-Co tsementeeritud karbiidi tööriistu on laialdaselt kasutatud. Seda saab kasutada ka NBC-C ja TAC-C ternaarsüsteemi karbiidide modifitseeritud lisandina, mis võib vähendada paagutamise temperatuuri ja säilitada suurepärase jõudluse. Seda saab kasutada lennundusmaterjalidena.

Volfram -karbiidi (WC) pulbrit sünteesitakse, kasutades volframi anhüdriidi (WO3) ja grafiiti redutseeriva atmosfääri kõrgel temperatuuril 1400 ～ 1600 ℃. Tihedaid keraamilisi tooteid saab kuumpressimise või kuuma isostaatilise vajutamisega.